東京都八王子市にある首都大学東京様からシリコンウエハ基板にAlをスパッタし陽極酸化処理を施したいが、密着性や特性等が規格を満足する事がでいず困っていると相談がありました。
TiN膜を初層に成膜することにより、どのような変化を示すのか確認したいもだが、試作のみの案件になるため他の会社では断られ、成膜してくれる会社がなく困っていました。
大学では薄膜電極層についての研究がおこなわれているとの事でした。
シリコンウエハ基板にTiN膜コーティングを処理した場合、テープテストでも剥がれてしまうケースが多く、密着性に大きな問題があります。
そこで、密着性を向上させるために初層膜にバインダーコートを行った後にTiN膜処理を行う事を提案しました。
お客様の希望では一度使用したシリコンウエハ基板を使用してほしいとの事でしたが、洗浄が困難で密着性不良の原因にもなるため、新品を準備して頂き成膜処理を行う事となりました。
サンプルは下記２パターンで製作し評価をお客様で行いました。
・バインダーコート有り
・バインダーコート無し
『バインダーコート無しのサンプルは評価前に膜が剥がれてしまったが、バインダーコート有りのサンプルはAlスパッタ＋陽極酸化に耐える事ができ、規格を満たす事ができました。』とのお声を頂きました。
